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Infineon Technologies IPL65R165CFDAUMA1
| Artikelnummer: | IPL65R165CFDAUMA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 650V 21.3A 4VSON |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 3000+ | $2.4916 |
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Infineon Technologies IPL65R165CFDAUMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IPL65R165CFDAUMA1.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 900µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-VSON-4 Serie CoolMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 165mOhm @ 9.3A, 10V Verlustleistung (max) 195W (Tc) Verpackung / Gehäuse 4-PowerTSFN Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2340 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21.3A (Tc) Grundproduktnummer IPL65R IPL65R165CFDAUMA1 Einzelheiten PDF [English] IPL65R165CFDAUMA1 PDF - EN.pdf -
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